比亞迪擬2023年電動(dòng)車(chē)全面搭載SiC電控
來(lái)源：EV視界
【EV視界綜合報(bào)道】12月10日，比亞迪在浙江寧波發(fā)布了IGBT4.0技術(shù)。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動(dòng)力電池電芯并稱為電動(dòng)車(chē)的“雙芯”，是影響電動(dòng)車(chē)性能的關(guān)鍵技術(shù)，其成本占整車(chē)成本的5%左右。對(duì)于電動(dòng)車(chē)而言，IGBT直接控制驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車(chē)輛的扭矩和最大輸出功率等。
發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，比亞迪還釋放了另一消息：企業(yè)已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET（汽車(chē)功率半導(dǎo)體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動(dòng)車(chē)。預(yù)計(jì)到2023年，比亞迪將在旗下的電動(dòng)車(chē)中，實(shí)現(xiàn)SiC基車(chē)用功率半導(dǎo)體對(duì)硅基IGBT的全面替代，將整車(chē)性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。
據(jù)悉，比亞迪已投入巨資布局第三代半導(dǎo)體材料SiC，并將整合材料（高純碳化硅粉）、單晶、外延、芯片、封裝等SiC基半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用。比亞迪第六事業(yè)部兼太陽(yáng)能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動(dòng)車(chē)性能持續(xù)迭代更新的新一代’殺手锏’，我們期望在加速、續(xù)航等性能指標(biāo)上，為廣大消費(fèi)者帶來(lái)更多驚喜?！?/p>
作為中國(guó)電動(dòng)車(chē)企代表之一，比亞迪自2015年至2017年，連續(xù)三年蟬聯(lián)全球新能源汽車(chē)銷(xiāo)量冠軍。今年前10月，比亞迪已經(jīng)累計(jì)銷(xiāo)售16.3萬(wàn)輛新能源乘用車(chē)，距離20萬(wàn)輛年銷(xiāo)量目標(biāo)僅一步之遙。
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